曝光，簡(jiǎn)單點(diǎn)說(shuō)，就是通過光照射光阻，使其感光。然后通過顯影工藝將曝光完成后的圖形處理，以將圖形清晰的顯現(xiàn)出來(lái)的過程。而整個(gè)光刻工藝，則是將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。
曝光機(jī)的原理
　　談到曝光，那必不可少就要談到曝光機(jī)。目前大部分曝光設(shè)備采用的是非接觸式曝光。原理是紫外光經(jīng)過MASK對(duì)涂有光刻膠的ITO玻璃曝光，曝光后的玻璃經(jīng)顯影產(chǎn)生與mask板相同的圖案。
　　為了在不改變曝光系統(tǒng)的前提下提高NA而改善R值, 可采取的方法有:
　?。?） 改變接近式曝光機(jī)中鏡頭和光刻膠的介質(zhì), 將其從空氣換成其他材料。通過該方式改變NA值可以是的193 nm技術(shù)在滿足45 nm工藝節(jié)點(diǎn)制程要求的同時(shí), 進(jìn)一步提高到28 nm制程。
　　（2）如果將接近式配合二重曝光相想結(jié)合, 可以進(jìn)一步將制程節(jié)點(diǎn)縮小到22 nm, 且工藝節(jié)點(diǎn)縮小到10 nm。
　　顯示制造中的曝光技術(shù)
　　在TFT-LCD的生產(chǎn)中, 根據(jù)制作原件的不同其采取的曝光方式也不相同:
　　? CF: 主要采取接近式曝光, 其掩模板與基板間距為10 μm左右。因?yàn)楣馔ㄟ^掩模板后會(huì)有干涉效應(yīng), 則此種方法形成的圖案解析度不高。而AMOLED，目前LGD的WOLED會(huì)采用CF。
　　? TFT曝光時(shí), 光通過透鏡或面鏡將掩模板圖案投影到光刻膠上的同時(shí), 其基板主要采取步進(jìn)式或掃描式移動(dòng), 以完成整版曝光。到AMOLED的上相差不大，只是LTPS會(huì)多幾道光罩而已。
　　而現(xiàn)在用于Display生產(chǎn)的主流曝光技術(shù)為:
　　? 透鏡掃描方式是一種Step & Scan的方式, 采用該方式的的曝光機(jī)有Nikon FX 系列, 其解析度為L(zhǎng)/S 3.5 um.
　　? 反射鏡投影曝光機(jī)則主要由Canon FX 采用。其TFT使用機(jī)器的解析度L/S 為3.5 um, 而CF用的機(jī)器則有4 um和6 um兩種。
　　? Proximity式機(jī)器主要為NSK和DECO采用。其解析度為6 – 8 um, 主要用于CF的制作。